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Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme
Das Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE ist das größte Solarforschungsinstitut Europas. Mit unseren derzeit rund 1200 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern betreiben wir anwendungsorientierte Forschung für die technische Nutzung der Solarenergie und entwickeln Materialien, Systeme und Verfahren für eine nachhaltige Energieversorgung.

Für unsere Abteilung „Nass- u. plasmachemische Verfahren / Zellprozesstransfer“ suchen wir nächstmöglichen Zeitpunkt eine/n Mitarbeiter/in zur Erstellung einer

Bachelor-/Master-/Diplomarbeit zum Thema "Entwicklung amorpher Siliciumschichten für Silicium Hetero Junction (SHJ) Solarzellen"

Kennziffer: ISE-2013-169
Ihre Aufgaben:
Silicium Hetero Junction (SHJ) Solarzellen zeichnen sich durch einen einfachen Aufbau und durch niedrige Prozesstemperaturen von < 250 °C aus. Ausgangsmaterial ist ein kristallines Siliciumsubstrat (Basis), auf welchem der für die Funktion einer Solarzelle notwendige Emitter mittels Gasphasenabscheidung erzeugt wird. Da der Emitter nicht, wie bei konventionellen Solarzellen, durch einen Hochtemperaturprozess in die Basis (Siliciumsubstrat) eindiffundiert, sondern auf die Oberfläche aufgebracht wird, spricht man hierbei von einer Hetero Junction, da das Material des Emitters von dem der Basis verschieden ist. Mit diesem Zellkonzept hat die japanische Firma Panasonic einen Wirkungsgrad von 24,7 % im R&D Modus erreicht [1].
Im Rahmen dieser Arbeit sollen die amorphen Siliciumschichten (intrinsisch, p und n Typ dotiert) durch Anpassung der mikrowellenangeregten plasma-gestützten Gasphasenabscheidung (MW-PECVD) optimiert werden. Der verwendete PECVD Reaktor ist eine Hochdurchsatz Inline Anlage im industriellen Maßstab. Die zu untersucheneden Prozessparameter des PECVD Prozesses sind z.B. die Substrattemperatur, der Reaktordruck, die Leistung der eingekoppelten Mikrowellenstrahlung und die verwendeten Gaspräkursoren bzw. deren Fluss. Die intrinsische a-Si Schicht dient zur Passivierung der Oberflächenstörstellen des Silicium Einkristalls (Wafer) welcher als Substrat verwendet wird und muss daher geringe Defektdichten aufweisen. Die dotierten a-Si Schichten werden auf die (i) a Si Schicht aufgebracht und dienen zur Ausbildung eines Hetero Emitters bzw. eines Back-Surface-Fields, die zur Extraktion von Ladungsträgern notwendig sind.
Bei erfolgreichem Abschluss der Arbeit bzw. des Studiums besteht die Möglichkeit auf eine Promotion zu dieser Thematik.
[1] http://panasonic.net, Press Release, 12. Februar 2013

  • Schichtherstellung mittles MW-PECVD: a-Si:H(i,p,n)
  • Plasmacharakterisierung: Emissions- und Massenspektroskopie
  • Schichtcharakterisierung: Optisch, elektrisch, Morphologie und Zusammensetzung
  • Solarzellenherstellung und Charakterisierung: Strom-Spannungs Kennlinie



Ihre Voraussetzungen:
  • Studium: Physik, physikalische Ingenieurwissenschaften
  • Erfahrung in Plasmaphysik
  • Erfahrung in Festkörperphysik
  • Erfahrung in Experimentalphysik
  • Teamfähigkeit
  • gute MS-Office-Kenntnisse
  • gute Englischkenntnisse in Wort und Schrift
  • Mindestbearbeitungszeit: 6 Monate





Kontakt:
Bitte richten Sie Ihre Bewerbung mit allen wichtigen Unterlagen unter Angabe der Kennziffer an:
jan.jeurink@ise.fraunhofer.de
(Anschreiben, CV und Zeugnisse in einem
pdf-Dokument mit max. 10 MB)


Fragen zu dieser Position beantwortet gerne:
Jan Jeurink, Tel.: +49 (0)761 45 88-59 64
Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme
Freiburg

http://www.ise.fraunhofer.de


Erschienen auf academics.de am 15.05.2013
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