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Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme
Was Sie erwartet

Am Fraunhofer ISE werden seit mehr als 15 Jahren so genannte III-V Einfach- und Mehrfachsolarzellen entwickelt. Diese Solarzellen werden überwiegend im Weltraum eingesetzt und in konzentrierenden Photovoltaiksystemen auf der Erde. Der Vorteil der III V Materialien ist Ihre hohe Flexibilität, durch eine Variation der Zusammensetzung die Bandlücken optimal an das Sonnenspektrum anzupassen. Dadurch lassen sich die weltweit höchsten Umwandlungseffizienzen von Sonnenlicht in elektrischen Strom erreichen.

GaInNAs gilt als vielversprechendes Material für eine Teilsolarzelle mit ca. 1 eV in Mehrfachsolarzellkonzepten mit vier p-n-Übergängen. Das Material kann mit der gleichen Gitterkonstante wie das Ge-Substrat epitaxiert werden und so lässt sich eine hohe Kristallqualität erwarten. Mittels der Molekularstrahlepitaxie wurde eine 1 eV GaInNAs Zelle in eine GaInP/GaAs Zelle erfolgreich integriert und Wirkungsngrad bis 43.5% unter konzentriertem Licht gezeigt. Die prinzipielle Eignung des Materials für Mehrfachsolarzellen wurde damit bewiesen. Mit der industriell bevorzugten MOVPE-Herstellungsmethode, wurde diese hohe Materialqualität konnte bisher jedoch noch keine ausreichende Qualität der Schichten erreicht werden. Besonders sticht die hohe C-Hintergrunddotierung im MOVPE gewachsenen Material hervor. Als Grund werden die Methylgruppen der klassischen MOVPE Präkursoren wie Trimethylgallium und Trimethylindium vermutet. Im Rahmen der Arbeit sollen das eptitaktische Wachstum von GaInNAs und GaNAs mit alternativen Methyl-freien Prekursoren und die Auswirkungen auf die Materialeigenschaften erforscht werden.

Ihre Aufgaben sind:
  • Epitaxy von III-V Halbleitern
  • Planen, Durchführen & Auswerten von Experimenten
  • Halbleitercharktersierung (elektrisch, optisch, strukturell)
  • sorgfältige Dokumentation der Ergebnisse
  • Erstellung einer Masterarbeit


Bachelor-/Master-/Diplomarbeit zum Thema: Metallorganische Gasphasenepitaxy von verdünnt Stickstoffhaltigen III-V Halbleiter mit Methyl-freien Prekursoren

Kennziffer: ISE-2015-233
Ihre Voraussetzungen:
  • Studium der Physik, Mikrosystemtechnik, Chemie, Kristallographie oder vergleichbar
  • Halbleiterphysik
  • Teamfähigkeit, Freude am experimentellen Arbeiten im Labor, selbstständige Arbeitsweise sowie die Fähigkeit sich in komplexe Sachverhalte einzuarbeiten
  • MS-Office-Kenntnisse, gute Origin Kenntnisse
  • gute Englischkenntnisse in Wort und Schrift
  • Bereitschaft zu flexiblen Arbeistzeiten



Kontakt:
Bitte richten Sie Ihre Bewerbung mit allen wichtigen Unterlagen unter Angabe der Kennziffer an:
david.lackner@ise.fraunhofer.de
(Anschreiben, CV und Zeugnisse in einem
pdf-Dokument mit max. 10 MB)


Fragen zu dieser Position beantwortet gerne:
Dr. David Lackner, Tel.: +49 (0)761 45 88-53 32
Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme
Freiburg

http://www.ise.fraunhofer.de


Erschienen auf academics.de am 19.10.2015
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