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Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme
Das Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE ist das größte Solarforschungsinstitut Europas. Mit unseren derzeit rund 1.200 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern betreiben wir anwendungsorientierte Forschung für die technische Nutzung der Solarenergie und entwickeln Materialien, Systeme und Verfahren für eine nachhaltige Energieversorgung.

Für unsere Gruppe "Hocheffiziente Silicium-Solarzellen" suchen wir zum nächstmöglichgen Zeitpunkt eine/n Mitarbeiter/in zur Erstellung einer

Diplom- oder Masterarbeit zum Thema: Charakterisierung amorpher, dielektrischer Schichten zur Oberflächenpassivierung von Solarzellen

Kennziffer: ISE-2013-177
Ihre Aufgaben:
Aktuell wird für die Herstellung von Silizium Solarzellen fast ausschließlich p-dotiertes Silizium verwendet. Aufgrund der höheren Materialqualität besteht allerdings ein wachsendes Interesse an n-dotiertem Silizium als Ausgangsmaterial für die Solarzellenherstellung. In den letzten Jahren wurden daher am Fraunhofer ISE Konzepte entwickelt, welche für die industrielle Herstellung hocheffizienter n-Typ Solarzellen geeignet sind. Ein wichtiger Aspekt hierbei ist die Passivierung der Solarzellenrückseite durch das sogenannte PassDop Konzept, bei welchem eine multifunktionale Schicht auf der Solarzellenrückseite abgeschieden wird, welche einerseits die Oberfläche elektrisch passiviert und andererseits Dotierstoff enthält um in einem Laserprozess eine lokale Hochdotierung zu erzeugen.
Ziel dieser Arbeit ist es, diese Schichten auf ihre optischen und elektrischen Eigenschaften zu untersuchen um dadurch den Prozess gezielt weiterentwickeln zu können. Dazu kommen unter anderem Techniken wie SE (Spectral Ellipsometry), SPV (Surface Photovoltage Measurement), CV (Capacitance Voltage Measurement), FTIR (Fourier Transform Infrared Spectroscopy) und XRD (X-ray Diffraction) zum Einsatz. Zusätzlich sollen Wege gefunden werden, den Dotierstoffgehalt der Schichten, sowie der lokalen Hochdotierung bestimmen zu können.

  • Charakterisierung dielektrischer Schichten mittels SE, SPV, CV, FTIR und XRD, sowie weiterführender Techniken
  • Charakterisierung der Dotierung der Schichten sowie der lokalen Hochdotierung
  • Entwicklung einer Messmethodik von amorphen SiNx-Schichten für SPV und CV


Ihre Voraussetzungen:
  • Studium in einem naturwissenschaftlichen Studiengang oder vergleichbar
  • Erfahrungen und Kenntnisse im Bereich Festkörper- und Solarzellenphysik sind hilfreich, aber keine Voraussetzung
  • Teamfähigkeit
  • engagierte und eigenverantwortliche Arbeitsweise
  • MS-Office Kenntnisse
  • gute Englischkenntnisse in Wort und Schrift



Kontakt:
Bitte richten Sie Ihre Bewerbung mit allen wichtigen Unterlagen unter Angabe der Kennziffer an:
jan.benick@ise.fraunhofer.de

Fragen zu dieser Position beantwortet gerne:
Bernd Steinhauser
Tel.: +49 (0)761 45 88-5190
Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme
Freiburg

http://www.ise.fraunhofer.de


Erschienen auf academics.de am 21.05.2013
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