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Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme
Durch den Einsatz von Siliziumkarbid (SiC)-Bauelementen mit hohen Sperrspannungen kann die Komplexität zukünftiger leistungselektronischer Wandler in Mittelspannungsnetzen reduziert werden. Aufgrund der geringen Schaltzeiten der SiC-Transistoren lassen sich die Schaltenergien deutlich reduzieren damit die Schaltfrequenzen erhöhen.Derzeit stehen dem Fraunhofer ISE unterschiedlichste HV-SiC-Laborprototypen von MOSFETs, IGBTs und Dioden zur Verfügung. Die Spannungsklassen dieser Prototypen reichen von 3,3 kV bis 15 kV. Zur Charakterisierung dieser Bauelemente sollen in diesem Praxissemester Testanlagen entwickelt und aufgebaut werden.Zur Bestimmung des Sperrverhaltens der Bauelemente soll ein vollautomatisierter Teststand zur Ermittlung der Leckströme in Abhängigkeit von der Sperrspannung entwickelt werden. Hierzu ist zunächst ein auf die hohen Spannungen isolierter Aufbau zu konstruieren, in den die Prüflinge eingesetzt werden können. In den Aufbau soll eine Heizplatte integriert werden, um die Tests bei unterschiedlichen Gehäusetemperaturen durchführen zu können. Die hohen Eingangsspannungen von bis zu 20 kV werden über ein Hochspannungsnetzteil bereitgestellt. Dieses Netzteil soll über einen PC so angesteuert werden, dass verschiedene Arbeitspunkte von Strom und Spannung automatisiert angefahren werden können. Dafür soll ein PC-Interface entwickelt werden, welches das Netzteil steuert und die Kennlinien auswertet. Anschließend soll der Teststand in Betrieb genommen und die vorhandenen HV-SiC-Bauelemente charakterisiert werden. Ein weiteres Arbeitspaket stellt die Planung und den Aufbau eines Doppelpulsteststandes zu Bestimmung der Schaltenergien der HV-SiC-Transistoren dar. Ein Teststand zur Messung bis 20 kV und 200 A wurde am Fraunhofer ISE bereits aufgebaut. Zur dynamischen Charakterisierung von 3,3 kV und 6,5 kV SiC-Modulen mit hohen Nennströmen soll im Rahmen dieses Praktikums ein weiterer Teststand mit zwar niedrigeren Spannungen, dafür aber höheren Strömen bis ca. 600 A entwickelt werden.

Ihre Aufgaben sind:
  • Planung und Konstruktion des HV-Aufbaus zur Leckstrommessung
  • Erstellung eines PC-Interfaces zur automatisierten Messung (LabView)
  • Inbetriebnahme und Durchführung der Messungen
  • Dimensionierung und Aufbau eines Doppelpulsteststandes
  • Dokumentation der Ergebnisse

Praktikum zum Thema: Entwicklung und Aufbau von Testständen zur Charakterisierung von HV-SiC-Transistoren

Kennziffer: ISE-2017-136
Ihre Voraussetzungen:
  • Studium der Elektrotechnik, elektr. Energietechnik oder Vergleichbares
  • Kenntnisse im Bereich der Leistungselektronik
  • Teamfähigkeit, engagierte und eigenverantwortliche Arbeitsweise
  • Gute MS-Office-Kenntnisse
  • Gute Englischkenntnisse in Wort und Schrift
  • Freude an der experimentellen Anwendung neuer Technologien
  • Das Praktikum muss in der Studienordnung vorgeschrieben sein


Allgemein:
Die Vergütung richtet sich nach den Richtlinien des Bundes über Praktikantenvergütungen.


Kontakt:
Bitte richten Sie Ihre Bewerbung mit allen wichtigen Unterlagen unter Angabe der Kennziffer an:
Bitte richten Sie Ihre Bewerbung unter Angabe der Kennziffer an:
juergen.thoma@ise.fraunhofer.de
(Anschreiben, CV und Zeugnisse in einempdf-Dokument mit max. 10 MB)

Fragen zu dieser Position beantwortet gerne:
Fragen zu dieser Position beantwortet gerne:
Jürgen Thoma
Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme
Freiburg

http://www.ise.fraunhofer.de


Erschienen auf academics.de am 16.05.2017
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