Wissenschaftliche(r) Mitarbeiter(in) (m/w/d) GaN mm-Wellen Transistoren

Das Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) ist eine anwendungsorientierte Forschungseinrichtung auf den Gebieten der Hochfrequenzelektronik, Photonik und Quantenphysik. Das FBH erforscht elektronische und optische Komponenten, Module und Systeme auf der Basis von Verbindungshalbleitern. Diese sind Schlüsselbausteine für Innovationen in den gesellschaftlichen Bedarfsfeldern Kommunikation, Energie, Gesundheit und Mobilität. Es verfügt über die gesamte Wertschöpfungskette vom Design bis zu lieferfertigen Systemen. In unserem Wide-Bandgap Electronics Department suchen wir eine(n) wissenschaftliche(n) Mitarbeiter(in) für den Entwurf und die Prozessierung von mm-Wellen GaN-Transistoren.

Kennziffer 05/23

Ihre Aufgaben

Sie entwerfen und realisieren verbesserte GaN-basierte Hochfrequenztransistoren, um deren Frequenzbereich auf Anwendungen jenseits von 30 GHz zu erweitern. Dazu müssen neue Technologiemodule in der Bauelementprozessierung entwickelt und in die bestehende GaN-MMIC-Technologie integriert werden. Sie arbeiten eng mit unseren Gruppen für GaN-Epitaxie, Front-End-Prozessierung, HF-Charakterisierung und MMIC-Design zusammen. Sie veröffentlichen die Ergebnisse in wissenschaftlichen Arbeiten und übernehmen auch Verantwortung für das Erreichen projektbezogener Meilensteine.

Ihr Profil

Sie haben ein wissenschaftliches Hochschulstudium (Master, Diplom) in Elektrotechnik, Physik oder einer verwandten Disziplin erfolgreich abgeschlossen. Sie verfügen über gute Kenntnisse in der Halbleitertechnologie und in der HF-Elektronik. Praktische Erfahrung in der Prozessierung von Halbleiterbauelementen ist von Vorteil. Sie fühlen sich durch ein interdisziplinäres Forschungsthema herausgefordert, das Hochfrequenzelektronik und Materialtechnologie umfasst. Sie arbeiten gerne in Labor- und Reinraumumgebungen. Teamfähigkeit, selbständiges Arbeiten und sehr gute englische Sprachkenntnisse sind für diese Position unerlässlich.

Unser Angebot

Wir bieten anspruchsvolle und interdisziplinäre Arbeiten für innovative Halbleiterbauelemente für Hochfrequenzanwendungen. Anstellung, Vergütung und Sozialleistungen richten sich nach dem Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst (TVöD Bund). Die Stelle kann zum nächstmöglichen Zeitpunkt besetzt werden und ist zunächst auf 2 Jahre befristet. Das FBH unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Familie und Beruf. Ein besonderes Augenmerk kommt der Gleichstellung der Geschlechter zu. Das Institut ist bestrebt, den Anteil von Frauen in diesem Bereich zu erhöhen. Daher sind Bewerbungen von Frauen besonders willkommen. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt. Haben wir Ihr Interesse geweckt? Dann freuen wir uns auf Ihre Online-Bewerbung. Dazu klicken Sie bitte auf „Online bewerben“ und übermitteln uns auf diesem Wege Ihre vollständigen Bewerbungsunterlagen bis zum  01.03.2023.

Falls Sie noch Fragen zur Bewerbung haben, wenden Sie sich bitte an Frau Nadine Kelm
Tel.: 030 6392-2691, Nadine.Kelm@fbh-berlin.de.