Wissenschaftliche/r Mitarbeiter/in
2. Physikalisches Institut A

Unser Profil
Zu den aktuellen Forschungsgebieten unseres Instituts gehören die Ladungs- und Spinbasierte Nanoelektronik in zweidimensionalen (2D) Materialien wie Graphen oder Übergangsmetall-Dichalkogenide. Einige dieser Materialien sind optisch aktiv oder sogar supraleitend, wiederum andere zeigen Quantenphänomene selbst bei Raumtemperatur. Das volle technologische Potential der 2D-Materialien wird erst durch deren Stapelung zu sogenannten Heterostrukturen erreicht, da aufgrund ihrer zweidimensionalen Eigenschaft die Materialien maximal sensitiv auf ihre Umgebung sind. Die Wechselwirkung zwischen verschiedenen 2D-Materialien innerhalb dieser Heterostrukturen kann daher zu völlig neuartigen Materialien mit maßgeschneiderten physikalischen Eigenschaften führen. Die Vision ist, hierdurch z.B. Spin-basierte oder supraleitende Elektronik jenseits der heutzutage dazu erforderlichen tiefen Temperaturen zu realisieren oder hochsensible Sensoren zu bauen, die auf neuartigen physikalischen Effekten basieren. Ihr Profil

• Überdurchschnittlich abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master oder vergleichbar) der Physik, der Elektrotechnik oder der Materialwissenschaften
• Idealerweise Erfahrungen im Bereich der Ultrahoch-Vakuumtechnik und der dazu erforderlichen disziplinierten und sauberen Arbeitsweise
• Konzeptionelle Fähigkeiten hinsichtlich mechanischer und technischer Planungen
• Fundierte Kenntnisse in der Festkörperphysik
• Hohes Maß an Selbstständigkeit, Engagement, Eigeninitiative und Belastbarkeit
• Ausgeprägte Teamorientierung und Kommunikationsstärke
• Sichere Beherrschung der deutschen und englischen Sprache

Ihre Aufgaben
Sie sollen unseren derzeit verwendeten Fabrikationsprozess von 2D-Heterostrukturen optimieren und weiterentwickeln. Insbesondere sollen Methoden zur Stapelung von 2D-Materialien an eine von Ihnen konzipierte und gebaute Ultrahoch-Vakuum- Anlage (UHV) angepasst werden. Dies dient zur Herstellung von atomar sauberen Grenzschichten innerhalb der Heterostrukturen. Die Verlagerung ins UHV ist hierbei notwendig, da die bloße Exposition der 2D-Materialien mit Luft zur Ablagerung von Kohlenwasserstoffen auf deren Oberflächen führt, die die physikalischen Eigenschaften der 2D-Materialien unkontrolliert beeinflussen können. Sie werden daher Reinigungsprozesse entwickeln, um die Oberflächen der 2D-Materialien atomar zu säubern, bevor Sie daraus unter UHV-Bedingungen Heterostrukturen bauen. Die Qualität der so hergestellten Heterostrukturen werden Sie durch Magnetotransport- Messungen wie z.B. den Quanten-Hall-Effekt bzw. optische Messverfahren wie z.B. die Raman-Spektroskopie bestimmen. Unser Angebot
Die Einstellung erfolgt im Beschäftigtenverhältnis. Die persönlichen Voraussetzungen müssen erfüllt sein.
Die Stelle ist zum nächstmöglichen Zeitpunkt zu besetzen und befristet auf 1 Jahr, wobei eine Vertragsverlängerung für weitere 2 Jahre vorgesehen ist.
Es handelt sich um eine Teilzeitstelle mit drei Viertel der regelmäßigen Wochenarbeitszeit.
Eine Promotionsmöglichkeit besteht.
Die Stelle ist bewertet mit EG 13 TV-L.