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Physik Elektrotechnik, Elektronik Wissenschaftliche/r Mitarbeiter/in Berlin

  • Wissenschaftlicher Mitarbeiter (m/w/d) Facettentechnologie

    04.02.2020 Ferdinand-Braun-Institut Berlin Wissenschaftlicher Mitarbeiter (m/w/d) Facettentechnologie - Ferdinand-Braun-Institut - Logo
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Wissenschaftlicher Mitarbeiter (m/w/d) Facettentechnologie

Veröffentlicht am
04.02.2020
Bewerbungsfrist
15.03.2020
Vollzeit-Stelle
Ferdinand-Braun-Institut
Berlin

Wissenschaftliche(n) Mitarbeiter(in)/ (m/w/d) - FBH - Logo
Wissenschaftliche(n) Mitarbeiter(in)/ (m/w/d) - FBH - Logo

Wissenschaftliche(n) Mitarbeiter(in) / (m/w/d) - Facettentechnologie -

  • Vollzeit
  • Gustav-Kirchhoff-Straße 4, 12489 Berlin, Deutschland
  • Mit Berufserfahrung
  • 03.02.20

Im Ferdinand-Braun-Institut werden GaAs-basierte Diodenlaser in sehr großer Vielfalt und mit einem breiten Anwendungsspektrum realisiert. Beispiele sind Hochleistungs-Laserdioden für die Materialbearbeitung oder Laser für den Einsatz im Weltraum mit höchsten Zuverlässigkeitsanforderungen. Bei allen Anwendungen wird die Laserperformance wesentlich durch die Qualität der Laserfacetten bestimmt. Das FBH nutzt hier sein patentiertes Passivierungsverfahren. In Zukunft soll die Technologie um einen Prozess mit im Vakuum gespaltenen Facetten erweitert werden, um für Kleinstserien die Facettenstabilität noch weiter zu steigern.

Zum Aufbau dieser Technologie und zur Unterstützung der Arbeitsgruppe der Facettentechnologie suchen wir eine(n) wissenschaftliche(n) Mitarbeiter(in).

(Kennziffer 04/20)

Ihre Aufgaben sind zum einen die Etablierung der Facettentechnologie auf Basis des Vakuumspaltens, zum anderen die Mitarbeit bei der Prozess- und Qualitätsüberwachung der etablierten, passivierungsbasierten Facettentechnologie.

Voraussetzung ist ein abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master/Diplom) in den Fächern Physik oder Elektrotechnik oder ein vergleichbarer Abschluss. Erforderlich sind einschlägige Kenntnisse und Erfahrungen bei der Abscheidung von halbleitenden bzw. dielektrischen Dünnfilmen (Molekularstrahlepitaxie, Sputterprozesse) und deren physikalischer Charakterisierung bzw. mehrjährige Erfahrung mit der Inbetriebnahme und dem Betrieb von UHV-Anlagen. Von Vorteil sind Grundkenntnisse der Halbleiter-Laserphysik.

Teamfähigkeit und ein engagiertes, selbständiges Arbeiten sowie gute Kenntnisse der deutschen und englischen Sprache in Wort und Schrift runden Ihr Profil ab.

Wir bieten eine anspruchsvolle interdisziplinäre Tätigkeit. Die Vergütung erfolgt nach TVöD (Bund). Die Stelle kann zum nächstmöglichen Zeitpunkt besetzt werden und ist zunächst auf 2 Jahre befristet.

Ein besonderes Augenmerk kommt der Gleichstellung der Geschlechter zu. Das Institut ist bestrebt, den Anteil von Frauen in diesem Bereich zu erhöhen. Daher sind Bewerbungen von Frauen besonders willkommen. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt.

Haben wir Ihr Interesse geweckt? Dann freuen wir uns auf Ihre Online-Bewerbung. Dazu klicken Sie bitte auf „Online bewerben“ und übermitteln uns auf diesem Wege Ihre vollständigen Bewerbungsunterlagen bis zum 15.03.2020.

Falls Sie noch Fragen zur Bewerbung haben, wenden Sie sich bitte an Frau Manuela Münzelfeld Tel.: 030 6392-2641
Manuela.Muenzelfeld@fbhb-berlin.de

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