Wissenschaftliche(r) Mitarbeiter(in) / Doktorand(in) (m/w/d) GaN Hochspannungstransistoren

Das Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) ist eine anwendungsorientierte Forschungseinrichtung auf den Gebieten der Hochfrequenzelektronik, Photonik und Quantenphysik. Das FBH erforscht elektronische und optische Komponenten, Module und Systeme auf der Basis von Verbindungshalbleitern. Diese sind Schlüsselbausteine für Innovationen in den gesellschaftlichen Bedarfsfeldern Kommunikation, Energie, Gesundheit und Mobilität. Es verfügt über die gesamte Wertschöpfungskette vom Design bis zu lieferfertigen Systemen.

In unserem Wide-Bandgap Electronics Department suchen wir eine(n) wissenschaftliche(n) Mitarbeiter(in) / Doktorand(in) für neue GaN-basierte Hochspannungs-Schalttransistoren.

Kennziffer 05/23

Ihr Aufgaben

Sie entwerfen und realisieren GaN-basierte Hochspannungs-Schalttransistoren, um ihre Spannungsfestigkeit und Stromdichte zu erhöhen und ihr Schaltverhalten zu verbessern. Hierfür müssen neue Technologiemodule in der Halbleiter-Bauelementprozessierung entwickelt werden. Sie werden die GaN-Bauelemente in den Reinräumen des FBH prozessieren und die elektrische Charakterisierung der Bauelemente durchführen. Die experimentellen Arbeiten werden durch TCAD-Bauelementsimulationen unterstützt. Sie werden eng mit unseren Gruppen für GaN-Epitaxie und Bauelement-Prozessierung zusammenarbeiten. Sie veröffentlichen die Ergebnisse in wissenschaftlichen Arbeiten und nutzen sie für Ihre Promotion.

Ihr Profil

Sie haben ein wissenschaftliches Hochschulstudium (Master, Diplom) in Elektrotechnik, Physik oder einer verwandten Disziplin erfolgreich abgeschlossen. Sie verfügen über gute Kenntnisse in der Halbleitertechnologie und in der Leistungselektronik. Praktische Erfahrungen in der Halbleiterbearbeitung sind von Vorteil. Sie fühlen sich durch ein interdisziplinäres Forschungsthema herausgefordert, das Leistungselektronik, Halbleiterbauelementdesign und Materialtechnologie umfasst. Sie arbeiten gerne in Labor- und Reinraumumgebungen. Teamarbeit und selbständiges Arbeiten sowie gute Englischkenntnisse in Wort und Schrift setzen wir voraus. Deutsche Sprachkenntnisse sind hilfreich.

Unser Angebot

Wir bieten anspruchsvolle und interdisziplinäre Arbeiten für innovative leistungselektronische Halbleiterbauelemente. Anstellung, Vergütung und Sozialleistungen richten sich nach dem Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst (TVöD Bund). Die Stelle kann zum nächstmöglichen Zeitpunkt besetzt werden und ist zunächst auf 2 Jahre befristet.

Das FBH unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Familie und Beruf. Ein besonderes Augenmerk kommt der Gleichstellung der Geschlechter zu. Das Institut ist bestrebt, den Anteil von Frauen in diesem Bereich zu erhöhen. Daher sind Bewerbungen von Frauen besonders willkommen. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt.

Haben wir Ihr Interesse geweckt? Dann freuen wir uns auf Ihre Online-Bewerbung. Dazu klicken Sie bitte auf „Online bewerben“ und übermitteln uns auf diesem Wege Ihre vollständigen Bewerbungsunterlagen bis zum 01.03.2023.

Falls Sie noch Fragen zur Bewerbung haben, wenden Sie sich bitte an Frau Nadine Kelm
Tel.: 030 6392-2691, Nadine.Kelm@fbh-berlin.de.